大部分输出功率为250~4000W的AC/DC电源的开关频率都在50~125kHz之间。这些电源通常采用连续导通模式(CCM)的升压PFC(功率因数校正)电路，开关频率低于100kHz的CCMPFC是最早使用IGBT的电路。在开关电源设计中使用MOSFET为开关功率器件，这不是因为它是最好的技术方案，而是因为它是伴随开关模式电源设计而成长的开关功率器件。典型的高压MOSFET的电流密度一般为10～20A/cm2，它的主要优点在于切换损耗相对而言比较低，主要缺点是导通状态损耗高和电流密度低。IGBT的电流密度大约是100A/cm2，因此在相同的电路中，尺寸为MOSFET 1/5的IGBT芯片便可达到与MOSFET同样的功效。在电流不同时，IGBT的导通压降变化不大。
在250～4000W功率范围的电源上，快速IGBT显示了强大的优势。例如，在冗余阵列磁片机服务器(RAID)应用中，一只Fairchild的SMPSIGBT功率器件可以完成3只MOSFET功率器件的工作，而且省掉了MOSFET所需的外部驱动器，使器件的成本得以降低，而减少功率器件的数量对服务器的平均无故障工作时间(MTBF)是有利的。
设计电源的一个常用方法是扩展现有的平台，以达到较高的功率要求。利用新的Faster IGBT，可以实现更高的功率密度，同时降低物料和装配的费用。在这方面经常遇到的问题是栅极电压，因为大多数MOSFET设计时使用10V的栅极驱动器，而IGBT设计的栅极工作电压是12～15V，新的Fairchild SMPSIGBT功率器件已考虑了栅极驱动电压，将栅极驱动电压的要求降低到与MOSFET一样。
另一个问题是，在某些设计中最初的系统设计采用若干只MOSFET功率器件并联工作，这样就能在较大的面积上把开关产生的热量散发出去。而采用IGBT来完成与较大的MOSFET相同的功能，散热途径将受到影响(当采用并联MOSFET时，封装和散热片之间的接触面是最大的影响因素)。为了在这些场合利用IGBT的优势，在热设计中需要重新考虑散热途径。随着软开关的应用，高压半导体的主要功率损失变为导通损耗，对于功率范围较高的电源，IGBT因其导通损耗低而取得了很好的表现。随着结温升高，IGBT的导通压降USAT往往降低，而关断损耗往往增加。MOSFFT则与之相反，随着结温升高，导通电阻RDS(on)增加，而关断损耗则保持不变。这表示在许多情况下，当系统温度上升时，IGBT温度上升的速度比MOSFET慢，因而与采用MOSFET的系统相比，使用IGBT的系统的效率变化较小。
IGBT通常配有一个反向并联二极管，其作用与MOSFET的体内二极管一样。而具有快速寄生体内二极管的高压MOSFET，它的反向恢复时间为250ns。这种二极管的性能比以前的体内二极管有所改进，而IGBT的反向并联二极管是性能更好的二极管，它的反向恢复时间范围为25ns。在需要反向并联二极管的应用中，采用IGBT是一个较好的方案。
现在越来越多的开关电源采用IGBT，同时也要求进一步降低它们的导通压降，这样可以扩大IGBT在电源技术中的应用范围。由于采用更好的晶圆处理和外延控制技术，IGBT的性能将更加完善。随着IGBT在电源产品中的应用增多，速度更快的IGBT的成本将下降。而且，由于目前IGBT的成本比同等的MOSFET略低一些，这将加速IGBT的推广应用。
