最新资讯
联系我们

-
19
2019-03
IGBT的几大检测方法
IGBT的几大检测方法IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进 ...
-
15
2019-01
MOS管和IGBT模块的测试方法
IGBTIGBT(绝缘栅双极晶体管)绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件,其 ...
-
24
2018-12
变压器隔离全桥IGBT驱动电路设计
变压器隔离全桥IGBT驱动电路设计在脉冲电源中,驱动电路的质量直接关系到逆变器的正常工作。一个好的驱动电路首先要保证开关的安全,其次要使开关的损耗小。 ...
-
20
2018-12
IGBT的主要I-V特性
IGBTIGBT是一种非常重要的电力电子器件。它不仅具有功率MOSFET的低驱动功率和高开关频率的优点,而且具有大功率晶体管低导通电压和高导通电流的优 ...
-
19
2018-12
IGBT的结构和原理
IGBTIGBT(绝缘栅双极晶体管)绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件,其 ...
-
18
2018-12
IGBT的封装失效机理
IGBTIGBT是一种非常重要的电力电子器件。它不仅具有功率MOSFET的低驱动功率和高开关频率的优点,而且具有大功率晶体管低导通电压和高导通电流的优 ...
-
12
2018-11
单电源IGBT驱动电路设计
单电源IGBT驱动电路设计 随着电力电子技术的飞速发展,IGBT的应用日益广泛,而IGBT应用的关健问题是其驱动电路和保护电路的 ...
-
07
2018-11
简单易懂的IGBT驱动电路
IGBTIGBT是一种非常重要的电力电子器件。它不仅具有功率MOSFET的低驱动功率和高开关频率的优点,而且具有大功率晶体管低导通电压和高导通电流的优 ...
-
04
2018-11
19体育官方IGBT芯片技术及选型
IGBTIGBT(绝缘栅双极晶体管)绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件,其 ...
-
03
2018-11
用于轻型牵引车中储能系统的半导体解决方案介绍
IGBTIGBT(绝缘栅双极晶体管)绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件,其 ...